現在、海外研究留学中のため、手元に実機がありません。 記憶をたよりに書いていますので、詳細が一部不明ですが、ご了承ください。

6G-A4 Single No-NFB Amplifier アンプ部 回路図

部 品	値	定 格	備 考
R 1	1 K	1 W	金属皮膜
R 2	1 K	1 W	金属皮膜
R 3	100 K	1 W	金属皮膜
R 4	470	10 W	金属皮膜・要調整
R 5	3.3 K	1 W	金属皮膜
R 6	15	2 W	金属皮膜
C 1	1 μ		MKH 積層
C 2	100 μ	25 V	電解（日ケミ）
C 3	2.2 μ		MKH 積層
C 4	470 μ	35 V	電解（日ケミ）
C 5	0.1 μ	630 V	フィルム（SHIZUKI）
C 6	47 μ	500 V	電解（日ケミ）
C 7	0.22 μ	630 V	フィルム（SHIZUKI）
C 8	0.047 μ		MKH 積層
VR 1	50 K	二連	アルプス

この他のバリエーションとしては、K-NFB をかけるのも良い。　オーバーオール NFB の時は、あまり良い印象を持たなかったが、K-NFB はいいようだ。　音が整えられる感じがする。　どうしてなのか、理由がわからないでいたら、MJ 無線と実験のサイドワインダーに、歪み打消しの立場からの解説がのっていた。　世の中、すごい人がいるんだなぁと思ったものです。　情熱の真空管の「6G-A4汎用シングル・アンプその２」で、著者による解説を読むことができます。

周波数特性は、10 Hz - 50 KHz (0 - -2dB)程度、残留雑音はフィルタなしで、両チャンネルとも 0.2 〜 0.3 mV 程度、ダンピングファクタは、3.5 前後だった。 歪み率特性を計っていただいたことがあるが、1 W 出力時に 2 % 程度（1 KHz）だった。

6G-A4 Single No-NFB Amplifier 電源部 回路図

部 品	値	定 格	備 考
R 1	22	5 W	金属皮膜・要調整
R 2	10 K	1 W	金属皮膜
R 3	要調整	1 W	金属皮膜・ Q1 の電流が 1.5 mA になるように調整
R 4	180 K	3 W	金属皮膜・要調整
R 5	100	1 W	金属皮膜
R 6	220 K	3 W	金属皮膜
R 7	68 K	1 W	金属皮膜
R 8 - 13	100	2 W	金属皮膜
C 1	0.1 μ	630 V	フィルム（SHIZUKI）
C 2	100 μ	500 V	電解（日ケミ）
C 3	0.22 μ	630 V	フィルム（SHIZUKI）
C 4	100 μ	500 V	電解（日ケミ）
C 5	0.1 μ	630 V	フィルム（SHIZUKI）
C 6	0.22 μ	630 V	フィルム（SHIZUKI）
C 7	47 μ	500 V	電解（日ケミ）
C 8	10 μ	160 V	電解（日ケミ）
Q 1	2SK-30A		GR 以上
Q 2	2SC????		hFE > 100, VCEO > 200V
Q 3	2SC????		hFE > 30, VCEO > 500V Pc > 30 W, 放熱版付き
D 1, 2	1S2711
ZD 1	1Z51 x 3		３本直列に接続 ラッシュ電流対策
ZD 2	1Z51		ラッシュ電流対策
T	PH-100		TANGO
CH	C-110	10 H 100 mA	TANGO
H1, H2	6.3 V		6G-A4 に使用
H3	6.3 V		ECC-81 に使用

定電圧電源の回路は、いろいろ試してみた。　単純な NFB 型、差動型、723 を用いたフローティング電源などだ。　しかし、音の変化はあまり感じられない。　それどころか、回路が複雑化すればするほど、故障が多くなる。　
単純なもので十分のようだ。　但し、高耐圧のツェナーダイオードを基準電源にすると、ノイズの影響があるのか、音質上、良くないようだ。　現在は、上記に示したように、定電流回路の出力に適当な抵抗をおいて、それを基準電圧にしている。　上記の回路図には、ツェナーダイオードが２箇所あるが、いずれもラッシュカレント対策で、定常状態ではいずれのツェナーダイオードも動作していない。 スペースがないために、左右共通電源になっているのが、残念。　本来ならば、左右別に定電圧電源をいれたいところ。